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公司基本資料信息
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設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設(shè)備可以獨立完成“電流-導(dǎo)通電壓”掃描測試。
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器件 |
測試項 |
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肖特基二極管，整流橋堆 |
瞬時前向電壓 |
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IGBT器件 |
IGBT導(dǎo)通壓降、鍵合線阻抗 |
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IGBT模塊，IPM模塊 |
IGBT導(dǎo)通壓降、二極管瞬時前向電壓、鍵合線阻抗 |
技術(shù)指標(biāo)
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參數(shù) |
指標(biāo) |
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電流脈寬 |
50μs~500μs |
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脈沖電流上升沿時間 |
<10μs |
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輸出脈沖電流 |
3~1000A量程，精度0.1%FS±1A |
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輸出負載電壓要求 |
<12V@1000A |
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DUT電壓測量 |
2獨立通道 |
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遠端測量，峰值電壓測量（取樣點可配置） |
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0~12V量程,精度0.1%FS±3mV |
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電流脈沖輸出間隔時間 |
1秒 |
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電流脈沖峰值功率 |
<12kW |
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多設(shè)備并聯(lián) |
支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流，如3000A |
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輸出極性反轉(zhuǎn) |
支持 |
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觸發(fā)信號 |
支持trig in及trig out |
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通訊接口 |
RS232、LAN |
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輸入電壓 |
90~264VAC、50/60Hz |
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輸入功率 |
<800W |
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尺寸 |
長516 x寬220 x高167mm |
應(yīng)用領(lǐng)域
肖特基二極管
整流橋堆
IGBT器件
IGBT半橋模塊
IPM模塊
更多有關(guān)1000A高電流脈沖電源10us脈寬認的信息找武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表一八一四零六六三四七六；普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風(fēng)電，軌交，變頻器等場景。
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